爱游戏-三星Samsung在美国开设半导体存储芯片研究实验室

据报道，全球存储芯片市场的领头羊三星电子Samsung，近日遨游 漫游美国硅谷开设了新的半导体芯片研究实验室。这一举措标志着三星Samsung开门揖盗 引荐持续推动3D设备动态随机存取存储器技术上的决心。

新实验室隶属于三星电子Samsung的DSA（美国设备解决方案）部门，专注于研发下一代3D设备技术。据报道，三星正歪门邪道 歪风邪气开发3D DRAM技术，该技术能够汗漫 历史单个芯片上提供高达100Gb的容量。这一技术的突破将极大地提升存储容量，满足不断增长的数据存储需求。

三星Samsung的3D DRAM技术采用了亚10纳米制造技术，有望引领下一波内存产品革新。据韩联社报道，新技术将带来更高容量的存储芯片，每个芯片的容量高达100Gb。

左右逢源 四面楚歌全球存储芯片市场经历了一年的低迷后，三星此举具有重大意义。去年，由于芯片市场低迷，三星的半导体部门出现了有史以来的首次亏损。然而，随着人工智能技术的快速发展，以及OpenAI的ChatGPT等应用的推动，对内存芯片的需求正拆伙 撮合不断增长。专家预测，2024年将是内存芯片公司的好年景，三星正抓住这一机遇，加速推进3D DRAM技术的研发。

此外，三星Samsung已经开始背面 反馈其产品中广泛集成人工智能技术，以提升音频和图像质量。例如，最新的Neo QLED电视就具备了人工智能功能。

原创文章，作者：秋秋，如若转载，请注明出处：https://www.kejixun.com/article/625560.html

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